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PDF SIF4N60C Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SIF4N60C | |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF4N60C
●特点：导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
■●FEATURES：■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT
●应用：电子镇流器 电子变压器 开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST■ELECTRONIC TRANSFORMER■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值（Tc=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）
TO-220/220FP/262/263
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
单位
UNIT
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
600 V
栅-源电压
gate-source Voltage
VGS
±30
V
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
最大脉冲电流
Drain Current －Pulsed ①
ID
ID
IDM
4.0 A
2.5 A
16 A
耗散功率
Power Dissipation
TO-220:104
Ptot
TO-220FP:36
W
TO-262/263:104
最高结温
Junction Temperature
存储温度
Storage Temperature
Tj
TSTG
150
-55-150
°C
°C
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy②
EAS
128 mJ
VDS=600V
RDS(ON)=2.5Ω
ID=4.0A
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=250µA
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVDSS/
ΔTj
ID=250uA, Referenced to
25°C
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250µA
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
VDS =600V,
VGS =0V, Tj=25°C
VDS =480V,
VGS =0V, Tj=125°C
跨导
Forward Transconductance
gfs
VDS =40V, ID=2.0A
③
最小值
MIN
600
2.0
典型值
TYP
0.6
2.5
最大值
MAX
单位
UNIT
V
V/°C
4.0 V
25 µA
250 µA
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
TO-220 条管装/TUBE PACKING
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING
TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料
无卤塑封料
Normal Package Material
Halogen Free
SIF4N60C TO-220-TU
SIF4N60C TO-220-TU-HF
SIF4N60C TO-220FP-TU
SIF4N60C TO-262-TU 或
SIF4N60C TO-263-TU
SIF4N60C TO-220FP-TU-HF
SIF4N60C TO-262-TU-HF 或
SIF4N60C TO-263-TU-HF
SIF4N60C TO-263-TR
SIF4N60C TO-263-TR-HF
Si semiconductors 2014.4
1
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
B
B1
b1
c
D
D1
最小值
min
4.00
1.20
1.00
0.65
0.35
15.00
5.90
TO-220 封装机械尺寸
TO-220 MECHANICAL DATA
典型值
nom
最大值
max
4.80
1.50
1.40
1.00
0.75
16.50
6.90
符号
SYMBOL
E
e
F
L
L1
Q
Q1
φP
最小值
min
9.90
1.10
12.50
3.00
2.50
2.00
3.60
单位：毫米/UNIT：mm
典型值
最大值
nom
max
10.70
2.54
1.45
14.50
3.50 4.00
3.00
3.00
3.90
Si semiconductors 2014.4
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SIF4N60C | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| SIF4N60D | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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