|
|
Número de pieza | SIF10N70C | |
Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
Fabricantes | SI Semiconductors | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de SIF10N70C (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 6 Páginas | ||
No Preview Available ! 深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF10N70C
●特点:热阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
●FEATURES:■LOW THERMAL RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE
■RoHS COMPLIANT
●应用:电子镇流器 电子变压器 开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(TC=25°C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25°C)
参数
符号
额定值
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
700
TO-220/220FP
单位
UNIT
V
VDS=700V
栅-源电压
gate-source Voltage
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
最大脉冲电流
Drain Current -Pulsed ①
耗散功率
Power Dissipation
最高结温
Junction Temperature
存储温度
Storage Temperature
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy
②
●电特性(Tc=25°C)
VGS
ID
ID
IDM
Ptot
Tj
TSTG
EAS
±20
10
V
A
6.0
40
TO-220:156
TO-220FP:50
150
-55-150
A
A
W
°C
°C
500 mJ
RDS(ON)=1.2Ω
ID=10A
●Electronic Characteristics(Tc=25°C)
参数
符号
PARAMETER
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值 单位
MAX UNIT
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=250µA
700
V
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVDSS/
ΔTj
ID=250uA, Referenced to
25°C
0.65
V/°C
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250µA
2.0
4.0 V
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
跨导
Forward Transconductance
IDSS
gfs
VDS =700V,
VGS =0V, Tj=25°C
VDS =520V,
VGS =0V, Tj=125°C
VDS =40V, ID=5.0A
③
1 µA
10 µA
8S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
TO-220 条管装/TUBE PACKING
SIF10N70C TO-220-TU
SIF10N70C TO-220-TU-HF
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
SIF10N70C TO-220FP-TU
SIF10N70C TO-220FP-TU-HF
Si semiconductors 2013.5
1
1 page 深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
B
B1
b1
c
D
D1
最小值
min
4.00
1.20
1.00
0.65
0.35
15.00
5.90
TO-220 封装机械尺寸
TO-220 MECHANICAL DATA
典型值
nom
最大值
max
4.80
1.50
1.40
1.00
0.75
16.50
6.90
符号
SYMBOL
E
e
F
L
L1
Q
Q1
φP
最小值
min
9.90
1.10
12.50
3.00
2.50
2.00
3.60
单位:毫米/UNIT:mm
典型值
最大值
nom
max
10.70
2.54
1.45
14.50
3.50 4.00
3.00
3.00
3.90
Si semiconductors 2013.5
5
5 Page |
Páginas | Total 6 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet SIF10N70C.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SIF10N70C | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |