DataSheet26.com

EMS10C10E PDF даташит

Спецификация EMS10C10E изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Schottky Rectifier ( Diode )».

Детали детали

Номер произв EMS10C10E
Описание Schottky Rectifier ( Diode )
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

EMS10C10E Даташит, Описание, Даташиты
 
 
HighVoltage Trench Barrier Schottky Rectifier 
  Product Summary: 
VRRM 
VF @ IF=10A 
IF(AV) 
100V 
0.58V 
10A 
 
Trench Schottky Technology 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 
Maximum Average Forward Rectified Current 
VRRM 
IF(AV) 
Peak Forward Surge Current 8.3mS Single Half Sinewave 
Superimposed on Rated Load per Diode 
IFSM 
Peak Repetitive Reverse Current @ tp = 2 μs, 1 kHz, 
TJ = 38 °C ± 2 °C per Diode 
IRRM 
Nonrepetitive Avalanche Energy @ TJ = 25 °C, L = 60 mH per Diode
EAS 
Voltage rate of change (rated VR) 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
dV/dt 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
2015/4/2 
 
EMS10C10E
LIMITS 
100 
10 
150 
1 
150 
10000 
40 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
V/μs 
°C 
MAXIMUM 
2.8 
UNIT 
°C / W 
p.1 









No Preview Available !

EMS10C10E Даташит, Описание, Даташиты
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMS10C10E
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
Breakdown Voltage 
Instantaneous Forward Voltage per 
Diode 
Reverse Current per Diode 
VBR 
VF1 
IR2 
1Pulse test : 300 s Pulse Width, 1  Duty Cycle. 
2Pulse Width ≤ 40ms. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
IR=1.0mA 
100   
  V 
IF=5A 
IF=10A 
TA = 25 °C 
  0.54  
  0.67 0.77
IF=5A 
IF=10A 
TA = 125 °C 
  0.50  
  0.58 0.68
V 
VR = 70V 
TA = 25 °C 
TA = 125 °C 
 
 
5 
6 
  uA
  mA
VR = 100V 
TA = 25 °C 
  15 100 uA
TA = 125 °C    15 35  mA
2015/4/2 
p.2 









No Preview Available !

EMS10C10E Даташит, Описание, Даташиты
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMS10C10E for TO220 
 
 
 
 
  S10
C10
S10C10: Device Name 
 
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
Outline Drawing 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Dimension in mm 
 
EMS10C10E
Dimension  A  b  b1  c  c2  E  L1  L2  L3  L4  ø  e  f  g  h 
Min. 
4.20  0.70  0.90 0.30  1.10  9.80  2.55 6.10 14.80 13.50 3.40 2.35  1.30  3.40  2.40
Max. 
4.80  1.10  1.50 0.70  1.50  10.50 2.85 6.50 15.40 14.50 3.80 2.75  1.90  3.80  3.00
 
2015/4/2 
p.3 










Скачать PDF:

[ EMS10C10E.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMS10C10ESchottky Rectifier ( Diode )Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMS10C10UCSchottky Rectifier ( Diode )Excelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск