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PDF EMZB08P03V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMZB08P03V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMZB08P03V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
8.5mΩ 
ID  ‐25A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ESD Protection 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMZB08P03V
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=25A, RG=25Ω
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
20 
18 
100 
25 
31.25 
2.5 
1 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=20A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
2015/8/5 
 
 
6 
°C / W 
50 
p.1 

1 page




EMZB08P03V pdf
 
10
I D  = ‐ 15A
8
6
Gate Charge Characteristics
VD  S   = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
4
2
0
0 15 30 45 60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
75
  EMZB08P03V
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20 25
‐ V D S , DrainSource Voltage( V )
30
100
R D S  (O  N  ) Limit
10
Maximum Safe Operating Area
100μs
1ms
10ms
100ms
1
0.1
VG  S = ‐10V
Single Pulse
R  J  A = 50°C/W
TA   = 25°C
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
1
Duty Cycle = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
Transient Thermal Response Curve
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
2015/8/5 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMZB08P03V.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMZB08P03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMZB08P03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMZB08P03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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