DataSheet26.com

EMB03P03H PDF даташит

Спецификация EMB03P03H изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB03P03H
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB03P03H Даташит, Описание, Даташиты
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
3.1mΩ 
ID 
85A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB03P03H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
85 
65 
260 
Avalanche Current 
IAS  ‐80 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=80A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
320 
160 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
69 
27 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
1.8 
62.5 
°C / W 
2016/3/9 
p.1 









No Preview Available !

EMB03P03H Даташит, Описание, Даташиты
 
 
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB03P03H
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = ‐250A 
VDS = VGS, ID = ‐250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = ‐24V, VGS = 0V 
VDS = ‐20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = ‐5V, VGS = ‐10V 
VGS = ‐10V, ID = ‐30A 
VGS = ‐4.5V, ID = ‐30A 
VDS = ‐5V, ID = ‐30A 
DYNAMIC 
30   
1  ‐1.5
  
  
  
85   
  2.7
  4.0
  70
 
3 
±100
1 
10 
 
3.1 
5.0 
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = ‐15V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
VDS = ‐15V, VGS = ‐10V, 
ID = ‐30A 
 
VDS = ‐15V,   
ID = ‐1A, VGS = ‐10V, RGS = 2.7Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
Reverse Recovery Time   
Reverse Recovery Charge 
IS     
ISM     
VSD 
IF = ‐30A, VGS = 0V 
 
trr 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
Qrr     
6400
913
656
3.4
96.5
24.8
13.8
15
20
130
55
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  ‐85 
  ‐260
  ‐1.2
26  
80  
pF
Ω 
nC
nS
A 
V 
nS
nC
2016/3/9 
p.2 









No Preview Available !

EMB03P03H Даташит, Описание, Даташиты
 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB03P03H for EDFN 5 x 6 
 
 
 
 
B03
  P03
  ABCDEFG
 
B03P03: Device Name 
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2016/3/9 
EMB03P03H
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB03P03H.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB03P03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03P03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск