DataSheet.es    


PDF EMF09P02CS Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMF09P02CS
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMF09P02CS (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 5 Páginas

No Preview Available ! EMF09P02CS Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
D
RDSON (MAX.) 
9mΩ 
ID 
56A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=25A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
2016/3/11 
EMF09P02CS
LIMITS 
±8 
56 
35 
150 
25 
62.5 
31.25 
56 
22 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.5 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMF09P02CS pdf
 
 
  EMF09P02CS
 
 
Gate Charge Characteristics
5
  I D  = ‐ 24A
 4
 3
12000
10000
8000
Capacitance Characteristics
f =1MHz
VGS=0 V
Ciss
  VD  S   = ‐ 5V ‐ 10V
2
 
6000
4000
 1
2000
  Coss
 
0
0 15 30 45 60 75
0 Crss
0 5 10 15 20
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
‐ VD S  , DrainSource Voltage( V )
 
  Maximum Safe Operating Area
300
   100 R d s (o  n ) Limit
10μ  s
100μ  s
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000 RSTθIC  N  J= C G= 2 L25E°.  C5P° UC/LWSE
2500
  1ms 2000
  10
 
10ms
DC100ms
1500
1000
 
 1
VG  S = ‐4.5V
RSIθ N J C G= L2E. 5P° UC/LWSE
Tc = 25° C
500
  0.5
0.5 1
10
100
0 0.01
0.1
1
10 100
1000
VD S  ,DrainSource Voltage( V )
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
 
  1 Transient Thermal Response Curve
 
Duty Cycle = 0.5
  0.5
 
0.3
0.2 0.2
 
0.1 0.1
  0.05
0.05
 
0.02
 
0.03
0.01
0.02
Notes:
DM
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2 .Rθ  J C  = 2 .5 ° C / W
  Single Pulse
0.01
3 .TJ  ‐   T C    =  P  *  R θ  J C  (t )
4 .Rθ  JC  (t )= r (t ) *  Rθ JC
 
102 101
1
10 100
t 1 ,T im e  ( m S E C  )
1000
 
 
 
 
2016/3/11 
p.5 

5 Page










PáginasTotal 5 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMF09P02CS.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMF09P02CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar