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PDF EMB07P03CS Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB07P03CS
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB07P03CS Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
6.8mΩ 
ID 
80A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=35A, RG=25Ω
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
EMB07P03CS
LIMITS 
±25 
80 
51 
240 
35 
61.25 
78 
31 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2016/7/20 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
1.6 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB07P03CS pdf
 
10
I D  = ‐ 25A
8
6
Gate Charge Characteristics
VD  S   = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
4
  EMB07P03CS
7500
6000
4500
3000
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
2 1500
Coss
0
0 15 30 45 60 75
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
0 Crss
0 5 10 15 20 25 30
‐ V D S , DrainSource Voltage( V )
M a x i m u m  S a f e  O p e r a t i n g  A r e a
103
R D S ( O N )  L i m i t e d
102
101
1 0 μ s
1 0 0 μ s
1 m s
1 0 m s
D C
100
  T C = 2 5 °C
  R θJ C = 1 . 6 °C / W
  V g s = ‐1 0 V
  S i n g l e  P u l s e
101 1 01
1 00 1 01
‐ V D S ,  D r a i n ‐ S o u r c e  V o l t a g e (  V  )
1 02
1 Transient Thermal Response Curve
Duty Cycle = 0.5
0.5
0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0.05
0.05
0.02
0.03
0.01
0.02
Single Pulse
0.01
102
101
Notes:
DM
1 10
t 1 ,Time ( mSEC )
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =1.6°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * Rθ  J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
100
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000
SRθI N JC  G= L1E. 6P° UC/LWSE
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1
10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
1000
2016/7/20 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB07P03CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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