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PDF EMB07N04H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB07N04H
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB07N04H Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
40V 
D
RDSON (MAX.) 
7mΩ 
ID  55A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=50A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/5/6 
EMB07N04H
LIMITS 
±20 
55 
40 
150 
50 
125 
62.5 
50 
20 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.5 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB07N04H pdf
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 24A
 8
 
 6
VD  S  = 15V
20V
 4
 
 2
 0
0
 
15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
60
 
2400
1800
1200
600
0
0
EMB07N04H
Capacitance Characteristics
Ciss
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Coss
Crss
10 20 30
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
40
  MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
300
200
   100
R d s (o  n ) Limit
10μ  s
50 100μ  s
  20
  10
1ms
10ms
 5
D1C00ms
 2
 1
VG  S = 10V
RSIθ N J C G= L2E. 5P° UC/LWSE
Tc = 25° C
0.5
  0.5 1
10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
100
 
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000
RSθI N JC  G= L2E. 5P° UC/LWSE
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1
10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
 1
  Duty Cycle = 0.5
0.5
  0.3
  0.2 0.2
Transient Therm al Response Curve
  0.1 0.1
0.05
  0.05
  0.02
0.03
0.01
0.02
  Single Pulse
0.01
  102
1 01
 
Notes:
DM
1 10
t 1 ,Tim e ( m SEC  )
1 .D u ty  C y cle ,D  =
t1
t2
2 .Rθ  J C  =2 .5 °C /W
3 .TJ  ‐  TC   = P  *  Rθ  J C  (t)
4 .R θ  J C (t)= r(t) *  RθJC
100
1000
 
 
 
 
 
 
2015/5/6 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB07N04AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB07N04HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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