DataSheet26.com

EMD02N60AK PDF даташит

Спецификация EMD02N60AK изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMD02N60AK
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

EMD02N60AK Даташит, Описание, Даташиты
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
600V 
D
RDSON (MAX.) 
5.0Ω 
ID  2A 
G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 3mH, ID=2A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/3/27 
EMD02N60AK
LIMITS 
±30 
2 
1.25 
8 
2 
6 
1 
30 
12 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.2 
110 
UNIT 
°C / W 
p.1 









No Preview Available !

EMD02N60AK Даташит, Описание, Даташиты
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMD02N60AK
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±30V 
VDS = 600V, VGS = 0V 
VDS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VGS = 10V, ID = 1A 
VDS = 25V, ID = 1A 
DYNAMIC 
600   
2  3 
  
  
  
  4.2
  1 
 
4 
±100
10 
25 
5.0 
 
V 
nA
A
Ω 
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = 300V, VGS = 10V, 
ID = 1A 
 
VDS = 200V,   
ID = 1.5A, VGS = 10V, RG = 20Ω 
 
  365  
  34
  pF
  8.2  
  3.2 6.5  Ω 
  8.2  
  3.3   nC
  1.7  
  15
 
  30
  20
  nS
 
  40
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
Reverse Recovery Time   
trr 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
    2 
A 
    8 
    1.4  V 
  0.2   S
  0.8   C
2015/3/27 
p.2 









No Preview Available !

EMD02N60AK Даташит, Описание, Даташиты
 
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMD02N60AK for DPAK (TO252) 
 
 
  
D02
 
N60K
D02N60K: Device Name 
 
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2015/3/27 
 
EMD02N60AK
p.3 










Скачать PDF:

[ EMD02N60AK.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMD02N60AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD02N60AKField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск