DataSheet26.com

EMD04N08E PDF даташит

Спецификация EMD04N08E изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMD04N08E
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

EMD04N08E Даташит, Описание, Даташиты
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
D
RDSON (MAX.) 
4.6mΩ 
ID 
160A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
  PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMD04N08E
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=90A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±30 
160 
126 
540 
90 
405 
202 
250 
100 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=60A, Rated VDS=80V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
0.50 
60 
°C / W 
2015/10/22 
p.1 









No Preview Available !

EMD04N08E Даташит, Описание, Даташиты
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMD04N08E
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±30V 
VDS = 64V, VGS = 0V 
VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 50A 
VDS = 5V, ID = 50A 
DYNAMIC 
80   
2.0  3.0
  
  
  
160   
  4.1
  60
 
4.0 
±100
1 
25 
 
4.6 
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 40V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
VDS = 40V, VGS = 10V, 
ID = 50A 
 
VDS = 40V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
  5548
  557
  29
  1.8
  58
  38
  8.5
  80
  150
  100
  170
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
pF
Ω 
nC
nS
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
Reverse Recovery Time   
trr 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
IF = 50A, VGS = 0V 
IF = 20A, dlF/dt = 100A / S 
 
    160
A 
    540
    1.3  V 
  70
  nS
  250   nC
2015/10/22 
p.2 









No Preview Available !

EMD04N08E Даташит, Описание, Даташиты
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMD04N08E for TO220 
 
 
 
 
  D04
D04N08: Device Name 
 
N08
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2015/10/22 
 
EMD04N08E
p.3 










Скачать PDF:

[ EMD04N08E.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMD04N08EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD04N08FNField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск