DataSheet26.com

EMB32N03JS PDF даташит

Спецификация EMB32N03JS изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB32N03JS
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB32N03JS Даташит, Описание, Даташиты
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
35mΩ 
ID  5A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient3 
RJA (T ≤ 10sec)
RJA (Steady State)
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2015/10/19 
EMB32N03JS
LIMITS 
±20 
5 
3.3 
20 
1.04 
0.66 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
83 
120 
UNIT 
°C / W 
p.1 









No Preview Available !

EMB32N03JS Даташит, Описание, Даташиты
 
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB32N03JS
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 24V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 5V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 5A 
VGS = 4.5V, ID = 4A 
VDS = 5V, ID = 5A 
DYNAMIC 
30   
  V 
1.0  1.5 3.0 
    ±100 nA
    1  A
    10 
5   
  A 
  30 35 
mΩ
  40 50 
  11   S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 10V, f = 1MHz 
 
VDS = 10V, VGS = 10V, 
ID = 5A 
 
VDS = 15V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
  323  
  75
  pF
  53
 
  7.1  
  1.1   nC
  2.2  
  8 
 
  12
  28
  nS
 
  15
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
    2 
A 
    8 
    1.2  V 
2015/10/19 
p.2 









No Preview Available !

EMB32N03JS Даташит, Описание, Даташиты
 
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
 
24
OnRegion Characteristics
  VG S = 10V 6V
7V
  20
5V
  16
  12
 8
 
4
 
 
0
0
 
4.5V
12
3
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
4
5
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  I D  = 5A
  VG S  = 10V
1.6
 
1.3
 
  1.0
  0.7
 
  0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 6
Transfer Characteristics
  VD S  = 10V
5
 
 4
T A  = ‐55°C
25°C
 3
 2
125°C
 
1
 
0
  1 1.5
2.0
2.5 3.0
3.5
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
2015/10/19 
  EMB32N03JS
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G  S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
5 10 15
I D  ‐ Drain Current( A )
20
25
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.09
0.08 I D  = 2.5 A
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
T A  = 125°C
T A  = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
VG S   = 0V
10
1
0.1
T A  = 125°C 25°C
55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB32N03JS.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB32N03JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB32N03JSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск