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PDF EMF11N02J Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMF11N02J
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMF11N02J Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
D
RDSON (MAX.) 
11.5mΩ 
ID  8A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
2016/8/25 
 
EMF11N02J
LIMITS 
±12 
8 
6 
32 
1.25 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
100 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMF11N02J pdf
 
 
 
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMF11N02J for SOT23 
 
 
  1Z: Device Code, 1Z for EMF11N02J 
  ABC: Date Code 
 
 
Outline Drawing 
 b
 
 
 
 
 
 
 
e
  e1
 D
 
 
 
 
Dimension in mm 
C
A1
Dimension  A  A1  A2  b  C  D  E  E1  e  e1  F  G  L1 
Min. 
0.7  0 
  0.35  0.1  2.8  2.6  1.5  0.9    0.8  0.3  0.55 
Typ.            2.9  2.8  1.6  0.95 1.9       
Max. 
1.12  0.1    0.5  0.2  3  3  1.7  1 
Footprint 
 
 
 
 
 
  1.2  0.6  0.65 
2016/8/25 
EMF11N02J
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMF11N02JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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