DataSheet26.com

EMB02Q03HP PDF даташит

Спецификация EMB02Q03HP изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB02Q03HP
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

10 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB02Q03HP Даташит, Описание, Даташиты
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCHQ1  NCHQ2 
BVDSS  30V  30V 
RDSON (MAX.)  5.0mΩ  2.0mΩ 
ID  53A  95A 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current3 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Continuous Drain Current3 
Avalanche Current 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
 
 
2016/4/28 
VGS 
ID 
IDM 
ID 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
EMB02Q03HP
LIMITS 
Q1  Q2 
±20  ±20 
53  95 
33  60 
130  170 
21  37 
17  30 
30  65 
45  211 
22  105 
25  31 
10  12.5 
1.8  1.9 
1.1  1.2 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
p.1 









No Preview Available !

EMB02Q03HP Даташит, Описание, Даташиты
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC  Steady State
JunctiontoAmbient 
RJA  Steady State
RJA  t  10 s 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3Package limitation current, Q1=30A, Q2=36A 
RJA when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
TYPICAL 
 
 
 
EMB02Q03HP
MAXIMUM 
5  4 
70  65 
30  25 
UNIT 
°C / W
2016/4/28 
p.2 









No Preview Available !

EMB02Q03HP Даташит, Описание, Даташиты
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB02Q03HP
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
V(BR)DSS 
VGS = 0V, ID = 250A 
Q1  30 
Q2  30 
 
 
  V 
 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS = VGS, ID = 250A 
Q1  1  1.5 3 
Q2  1  1.5 3 
GateBody Leakage 
IGSS 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
Q1   
  ±100 nA
Q2   
  ±100
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS 
VDS = 24V, VGS = 0V 
Q1      1  A
Q2      1 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 16A 
VGS = 10V, ID = 25A 
VGS = 4.5V, ID = 10A 
VGS = 4.5V, ID = 15A 
VDS = 5V, ID = 16A 
VDS = 5V, ID = 25A 
DYNAMIC 
Q1   
Q2   
Q1  53 
Q2  95 
Q1   
Q2   
Q1   
Q2   
Q1   
Q2   
 
 
 
 
4.0
1.6
6.0
2.3
50
70
25 
25 
  A 
 
5.0 
mΩ
2.0 
7.8 
3.0 
  S 
 
Input Capacitance 
Ciss    Q1    1508  
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz  Q2    3813  
pF
Output Capacitance 
Coss 
Q1   
Q2   
219
540
 
 
Reverse Transfer Capacitance   
Crss 
Q1   
Q2   
167
440
 
 
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz  Q1    0.9   Ω 
Q2    1.5  
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=4.5V)  
Q1 
VDD = 15V, VGS = 10V, 
ID = 16A 
Q1   
Q2   
Q1   
Q2   
25
59
13
28
 
  nC
 
 
2016/4/28 
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB02Q03HP.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB02Q03HPField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск