DataSheet26.com

EMF30C02G PDF даташит

Спецификация EMF30C02G изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMF30C02G
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

8 Pages
scroll

No Preview Available !

EMF30C02G Даташит, Описание, Даташиты
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
20V  ‐20V 
30.5mΩ  100mΩ 
ID 
6.5A 
4.2A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/12/26 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMF30C02G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±12  ±12 
6.5  ‐4.2 
4.5  ‐3.3 
26  ‐16.8 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 









No Preview Available !

EMF30C02G Даташит, Описание, Даташиты
 
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMF30C02G
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VGS = 0V, ID = ‐250A 
NCH  20 
PCH  ‐20 
 
 
 
 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = ‐250A 
NCH  0.45  0.75 1.2 
PCH  ‐0.45  ‐0.75 1.2
VDS = 0V, VGS = ±12V 
VDS = 0V, VGS = ±12V 
NCH   
PCH   
  ±100
  ±100
VDS = 16V, VGS = 0V 
VDS = ‐16V, VGS = 0V 
NCH      1 
PCH      ‐1 
VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 125 °C NCH 
VDS = ‐16V, VGS = 0V, TJ = 125 °C PCH 
 
 
  10 
  ‐10 
VDS = 5V, VGS = 4.5V 
VDS = ‐5V, VGS = ‐4.5V 
NCH  6.5 
PCH  ‐4.2 
 
 
 
 
VGS = 4.5V, ID = 6.5A 
VGS = ‐4.5V, ID = ‐3.5A 
NCH   
PCH   
26 30.5
85 100
VGS = 2.5V, ID = 3A 
VGS = ‐2.5V, ID = ‐2A 
NCH   
PCH   
40 50 
120 150
VDS = 5V, ID = 6.5A 
VDS = ‐5V, ID = ‐3.5A 
NCH   
PCH   
7 
4.5
 
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
DYNAMIC 
 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
 
Ciss 
NCH 
NCH    280  
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz  PCH    382   pF
PCH 
Coss 
NCH   
VGS = 0V, VDS = ‐15V, f = 1MHz 
47
 
PCH    70
 
Crss 
NCH    38
 
PCH    60
 
Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz NCH    2.0   Ω 
 
 
PCH    5.0  
 
2012/12/26 
p.2 









No Preview Available !

EMF30C02G Даташит, Описание, Даташиты
 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
NCH 
VDS = 10V, VGS = 4.5V, 
ID = 6.5A 
PCH 
VDS = ‐10V, VGS = ‐4.5V, 
ID = ‐3.5A 
NCH 
PCH 
NCH 
PCH 
NCH 
PCH 
NCH 
VDS = 10V, 
NCH 
PCH 
ID = 1A, VGS = 4.5V, RGS = 6Ω 
 
NCH 
PCH 
PCH 
VDS = ‐10V, 
NCH 
PCH 
ID = ‐1A, VGS = ‐4.5V, RGS = 6Ω  NCH 
  PCH 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
IS 
Pulsed Current3 
ISM 
Forward Voltage1 
VSD 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
 
NCH 
PCH 
NCH 
PCH 
NCH 
PCH 
 
 
 
 
 
 
2012/12/26 
EMF30C02G
6.2  
7.2   nC
0.9  
1.2  
2.1  
2.3  
5   
5    nS
10  
12  
20  
23  
8   
10  
  2 
A 
  ‐2 
  8 
  ‐8 
  1.3  V 
  ‐1.3
p.3 










Скачать PDF:

[ EMF30C02G.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMF30C02GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMF30C02KField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск