DataSheet26.com

EMB21C03S PDF даташит

Спецификация EMB21C03S изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB21C03S
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

8 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB21C03S Даташит, Описание, Даташиты
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
21mΩ  35mΩ 
ID 
7.5A 
6A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB21C03S
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS 
NCH 
PCH 
V 
±20  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=7.5A, RG=25Ω(N)
L = 0.1mH, ID=6A, RG=25Ω(P) 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
7.5  ‐6 
5.5  ‐5 
30  ‐24 
10  ‐10 
2.8  1.8 
1.4  0.9 
5 
2 
55 to 150 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V NCH 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=6A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
JunctiontoAmbient3 
2012/10/25 
RJC 
RJA 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
p.1 









No Preview Available !

EMB21C03S Даташит, Описание, Даташиты
 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB21C03S
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
NCH  30   
  V 
VGS = 0V, ID = ‐250A 
PCH  ‐30   
 
VDS = VGS, ID = 250A 
NCH  1  1.5 3 
VDS = VGS, ID = ‐250A 
PCH  ‐1  ‐1.5 3 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
NCH   
  ±100 nA
VDS = 0V, VGS = ±20V 
PCH   
  ±100
VDS = 24V, VGS = 0V 
NCH      1  A
VDS = ‐24V, VGS = 0V 
PCH   
  ‐1 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C NCH   
  25 
VDS = ‐20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C PCH   
  ‐25
VDS = 10V, VGS = 10V 
NCH  7.5   
  A 
VDS = ‐5V, VGS = ‐10V 
PCH  ‐6   
 
VGS = 10V, ID = 7.5A 
VGS = ‐10V, ID = ‐6A 
NCH   
PCH   
18  21 
mΩ
26  35 
VGS = 4.5V, ID = 5.5A 
NCH    34  42 
VGS = ‐4.5V, ID = ‐5A 
PCH    45  60 
VDS = 5V, ID = 7.5A 
NCH    16    S 
VDS = ‐5V, ID = ‐6A 
PCH    12   
DYNAMIC 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Ciss 
NCH 
NCH    520  
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz  PCH    910   pF
P=CH 
Coss 
NCH   
VGS = 0V, VDS = ‐15V, f = 1MHz 
88
 
PCH    143  
Crss 
NCH    62
 
PCH    108  
2012/10/25 
p.2 









No Preview Available !

EMB21C03S Даташит, Описание, Даташиты
 
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
 
Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz NCH 
PCH 
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=4.5V)
Qg(VGS=4.5V)
Qgs 
NCH 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 7.5A 
PCH 
VDS = ‐15V, VGS = ‐10V, 
ID = ‐6A 
NCH 
PCH 
NCH 
PCH 
NCH 
PCH 
Qgd  NCH 
PCH 
td(on) 
NCH 
VDS = 15V, 
NCH 
PCH 
tr  ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω  NCH 
PCH 
PCH 
td(off) 
VDS = ‐15V, 
NCH 
ID = ‐1A, VGS = ‐10V, RGS = 6Ω  PCH 
tf    NCH 
PCH 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS    NCH   
PCH   
ISM    NCH   
PCH   
VSD 
IF = IS, VGS = 0V 
NCH   
PCH   
Reverse Recovery Time    trr    NCH   
PCH   
Peak Reverse Recovery Current 
IRM(REC) 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
NCH   
PCH   
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
  NCH   
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
PCH   
EMB21C03S
2.0   Ω 
4.0  
11.5  
13.3   nC
5   
7   
1.6  
2.1  
2.8  
3.2  
11  
12   nS
16  
18  
36  
38  
20  
22  
  2.3 
A 
  ‐2.3
  9.2 
  ‐9.2
  1.2  V 
  ‐1.2
50   nS
55  
30   A 
24  
2    nC
2.2  
2012/10/25 
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB21C03S.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB21C03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB21C03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB21C03SField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск