DataSheet26.com

EMB24B03G PDF даташит

Спецификация EMB24B03G изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB24B03G
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB24B03G Даташит, Описание, Даташиты
 
 
Dual PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
24mΩ 
ID  ‐8A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB24B03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±25 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
8 
6 
32 
Avalanche Current 
IAS  ‐12 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
3.2 
1.6 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2 
1.1 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=8A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2013/1/10 
p.1 









No Preview Available !

EMB24B03G Даташит, Описание, Даташиты
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB24B03G
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = ‐250A 
VDS = VGS, ID = ‐250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 0V, VGS = ±25V 
VDS = ‐24V, VGS = 0V 
VDS = ‐20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = ‐5V, VGS = ‐10V 
VGS = ‐10V, ID = ‐8A 
VGS = ‐4.5V, ID = ‐6A 
VDS = ‐5V, ID = ‐8A 
DYNAMIC 
30   
1  ‐1.5
  
  
  
  
8   
  20.5
  29
  24
 
3 
±100
±500
1 
10 
 
24 
37 
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=4.5V)
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = ‐15V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = ‐15V, VGS = ‐10V, 
ID = ‐8A 
 
VDS = ‐15V,   
ID = ‐1A, VGS = ‐10V, RGS = 2.7Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
Reverse Recovery Time   
Reverse Recovery Charge 
IS     
ISM     
VSD 
IF = IS, VGS = 0V 
 
trr 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
Qrr     
1407
208
164
4.5
20.3
9.8
3.2
4.9
10
8 
25
6 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  ‐2.3
  ‐9.2
  ‐1.2
32  
26  
pF
Ω 
nC
nS
A 
V 
nS
nC
2013/1/10 
p.2 









No Preview Available !

EMB24B03G Даташит, Описание, Даташиты
 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB24B03G for SOP8 
 
 
 
 
  B24
B03
  ABCDEFG
 
 
 
Outline Drawing 
 
 
 
 
 
 D
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Dimension in mm 
 
B24B03: Device Name 
ABCDEFG: Date Code 
F
G
E
I
IH
BC
A
Dimension  A  B  C  D  E  F  G  H 
in. 
4.70  3.70  5.80  0.33
  1.20 0.08 0.40
Typ. 
 
 
 
  1.27
 
 
 
Max. 
5.10  4.10  6.20  0.51
  1.62 0.28 0.83
 
J
K
I  J 
0.19 0.25
  
0.26 0.50
K   
0   
  
8 
2013/1/10 
EMB24B03G
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB24B03G.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB24B03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск