DataSheet26.com

EMFA0P02M PDF даташит

Спецификация EMFA0P02M изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMFA0P02M
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

EMFA0P02M Даташит, Описание, Даташиты
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
D
RDSON (MAX.) 
100mΩ 
ID 
1.6A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient 
RJA 
JunctiontoLead 
RJL 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
2012/12/26 
EMFA0P02M
LIMITS 
±12 
1.6 
1.2 
6.4 
0.29 
0.19 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
425 
320 
UNIT 
°C / W 
 
p.1 









No Preview Available !

EMFA0P02M Даташит, Описание, Даташиты
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMFA0P02M
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = ‐250A 
VDS = VGS, ID = ‐250A 
VDS = 0V, VGS = ±12V 
VDS = ‐16V, VGS = 0V 
VDS = ‐16V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = ‐5V, VGS = ‐4.5V 
VGS = ‐4.5V, ID = ‐1.6A 
VGS = ‐2.5V, ID = ‐1A 
VDS = ‐5V, ID = ‐1.6A 
DYNAMIC 
20   
 
0.3  ‐0.75 1.2
    ±100
    ‐1 
    ‐10 
1.6   
 
  83 100
  110 135
  4.5  
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = ‐10V, f = 1MHz 
 
VDS = ‐10V, VGS = ‐4.5V, 
ID = ‐1.6A 
 
VDS = ‐10V,   
ID = ‐1A, VGS = ‐4.5V, RGS = 6Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
IS 
ISM 
Forward Voltage1 
VSD 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
 
 
 
382  
70  
60  
7.2  
1.2  
2.3  
10  
20  
15  
12  
  ‐1.6
  ‐6.4
  1.2 
pF
nC
nS
A 
V 
2012/12/26 
p.2 









No Preview Available !

EMFA0P02M Даташит, Описание, Даташиты
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
  Typical output characteristics
8
 
  VG  S = ‐4.5 V
6
  4.0V
  3.5V
4
  3.0V
2 
  2.5V
0 
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
  VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
 
 
  Normalized onResistance v.s. Junction Temperature
1.8
I  D = ‐1.6A
 1.6 V  G   = ‐4.5V
 
1.4
 
1 .2
1 .0
 
0.8
 
0.6
  50 25 0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature ( °C )
 
 
  600
 
500
 
400
 
Capacitance Characteristics
f =1MHz
VGS=0 V
Ciss
  300
  200
 
100
 
 
0
0
 
Coss
Crss
5 10 15
‐ VD  S , DrainSource Voltage( V )
20
 
 
2012/12/26 
  EMFA0P02M
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.30
0.20 I D  = ‐ 1.6A
0.25
0.20
0.15
T A  = 125°C
0.10
T A  = 25°C
0.05
0.00
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
‐ VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
I D  = ‐ 1.6A
8
Gate Charge Characteristics
6
VD  S   = ‐ 5V ‐ 10V
4
2
0
0 3 6 9 12 15
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
10
1 VG  S  = 0V
0.1
0.01 T A  = 125°C 25°C 55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.3 










Скачать PDF:

[ EMFA0P02M.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMFA0P02JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMFA0P02JSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMFA0P02MField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMFA0P02VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск