DataSheet26.com

EMB30P03A PDF даташит

Спецификация EMB30P03A изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB30P03A
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB30P03A Даташит, Описание, Даташиты
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
30mΩ 
ID 
22A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2012/5/22 
EMB30P03A
LIMITS 
±20 
22 
18 
60 
12 
7.2 
3.6 
33 
13 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.75 
80 
UNIT 
°C / W 
p.1 









No Preview Available !

EMB30P03A Даташит, Описание, Даташиты
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB30P03A
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = ‐250A 
VDS = VGS, ID = ‐250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = ‐24V, VGS = 0V 
VDS = ‐20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = ‐5V, VGS = ‐10V 
VGS = ‐10V, ID = ‐20A 
VGS = ‐4.5V, ID = ‐7A 
VDS = ‐5V, ID = ‐15A 
DYNAMIC 
30   
1.0  ‐1.5
  
  
  
22   
  26
  41
  12
 
3.0
±100
1 
25 
 
30 
51 
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = ‐15V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = ‐15V, VGS = ‐10V, 
ID = ‐15A 
 
VDS = ‐10V,   
ID = ‐1A, VGS = ‐10V, RGS = 6Ω 
 
  910  
  143   pF
  108  
  4.0   Ω 
  13.3  
  2.1   nC
  3.2  
  12
 
  18
  38
  nS
 
  22
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
Reverse Recovery Time   
trr 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
IF = ‐5A, dlF/dt = 100A / S 
    ‐15 
A 
    ‐60 
    ‐1.3 V 
  55
  nS
  2.2   nC
2012/5/22 
p.2 









No Preview Available !

EMB30P03A Даташит, Описание, Даташиты
 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB30P03A for DPAK (TO252) 
 
  
B30
 
P03
B30P03: Device Name 
 
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2012/5/22 
EMB30P03A
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB30P03A.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB30P03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB30P03VATField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск