DataSheet26.com

EMB55A03G PDF даташит

Спецификация EMB55A03G изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB55A03G
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB55A03G Даташит, Описание, Даташиты
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
55mΩ 
ID  4.5A 
 
UIS, 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=4.5A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB55A03G
LIMITS 
±20 
4.5 
3.3 
18 
4.5 
1 
0.5 
2 
1.3 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/8/30 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 









No Preview Available !

EMB55A03G Даташит, Описание, Даташиты
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB55A03G
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 24V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 4.5A 
VGS = 4.5V, ID = 3A 
VDS = 5V, ID = 4.5A 
DYNAMIC 
30   
  V 
1  1.5 3 
    ±100 nA
    1  A
    25 
4.5   
  A 
  45 55 
mΩ
  72 90 
  5    S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 4.5A 
 
VDS = 15V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
  319  
  66
  pF
  53
 
  6 
 
  0.8   nC
  1.8  
  8 
 
  2.5   nS
  20
 
  5 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
Reverse Recovery Time   
Peak Reverse Recovery Current 
Reverse Recovery Charge 
 
IS 
ISM 
VSD 
trr 
IRM(REC) 
Qrr 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
    2.1 
A 
    8.4 
    1.2  V 
  40
  nS
  20   A 
  1.5   nC
 
2013/8/30 
p.2 









No Preview Available !

EMB55A03G Даташит, Описание, Даташиты
 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB55A03G for SOP8 
 
 
    B55
A03
  ABCDEFG
 
AB5B5CAD0E3F:G D: eDvaitcee  CNoadmee   
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
Outline Drawing 
 
 
 F
 
I
GI
  DE
 
 
 
  BC
 
 
A
 
 
 
 
Dimension in mm 
 
H
Dimension  A  B  C  D  E  F  G  H 
in. 
4.70  3.70  5.80  0.33
  1.20 0.08 0.40
Typ. 
 
 
 
  1.27
 
 
 
Max. 
5.10  4.10  6.20  0.51
  1.62 0.28 0.83
 
J
K
I  J 
0.19 0.25
  
0.26 0.50
K   
0   
  
8 
2013/8/30 
EMB55A03G
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB55A03G.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB55A03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск