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PDF EMBA0N10S Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBA0N10S
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBA0N10S Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
100mΩ 
ID  6A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=5A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
2013/10/9 
EMBA0N10S
LIMITS 
±20 
6 
4.5 
24 
5 
1.25 
0.625 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBA0N10S pdf
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 6A
 8
 6
 
 4
VD  S   = 50V
80V
 2
 
0
 0
 
10 20 30
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
40
 
100
 
Maximum Safe Operating Area
   10 R D  S (O  N )Limit
 1
100μs
1ms
10ms
100ms
  1s
DC
  0.1
    VG  S = 10V
  Single Pulse
  R  JA = 50°C/W
  0.01   TA   = 25°C
0.1
1
10 100 1000
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
 
 1
Transient Thermal Response Curve
  Duty Cycle = 0.5
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
  0.01
0.01
  Single Pulse
 
  0.001
10 4
 
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
 
 
 
 
 
2013/10/9 
  EMBA0N10S
2000
1800
1600
Ciss
1400
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
V  G S  =  0  V
1200
1000
800
600
400
Coss
200
0 Crss
0 20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V  )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBA0N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA0N10CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA0N10FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA0N10GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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