DataSheet.es    


PDF EMB60N06V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB60N06V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMB60N06V (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 5 Páginas

No Preview Available ! EMB60N06V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
60mΩ 
ID  8A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=6A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB60N06V
LIMITS 
±20 
8 
6 
32 
6 
1.8 
0.9 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/6/19 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB60N06V pdf
  EMB60N06V
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 6A
 8
 
6
 
VD S  = 15V 30V
 4
 
2
 
 0
03
6
9
12 15
18 21
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
  100
Maximum Safe Operating Area
 
  10 R D S  (O  N  ) Limit
 
100μs
1ms
10ms
100ms
 1
1s
  0.1
VG  S = 10V
Single Pulse
  R  J  A = 50°C/W
TA   = 25°C
 
0.01
10s
DC
  0.1
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
50
40
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
10 20 30 40
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
50
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
TA  = 25°C
60
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
  Transient Thermal Response Curve
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.R θ J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
t 1 ,Time (sec)
2013/6/19 
p.5 

5 Page










PáginasTotal 5 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMB60N06V.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB60N06AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB60N06CField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB60N06CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB60N06HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar