DataSheet26.com

EMF30N02H PDF даташит

Спецификация EMF30N02H изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMF30N02H
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

EMF30N02H Даташит, Описание, Даташиты
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
D
RDSON (MAX.) 
30mΩ 
ID  10A  G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 70 °C 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2012/12/5 
EMF30N02H
LIMITS 
±12 
10 
7 
40 
25 
16 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
5 
62 
UNIT 
°C / W 
p.1 









No Preview Available !

EMF30N02H Даташит, Описание, Даташиты
 
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMF30N02H
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±12V 
VDS = 16V, VGS = 0V 
VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 5V, VGS = 4.5V 
VGS = 4.5V, ID = 5A 
VGS = 2.5V, ID = 4A 
VDS = 5V, ID = 5A 
DYNAMIC 
20   
0.45  0.75
  
  
  
10   
  26
  45
  7 
 
1.2 
±100
1 
10 
 
30 
51 
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 10V, f = 1MHz 
 
VDS = 10V, VGS = 4.5V, 
ID = 5A 
 
VDS = 10V,   
ID = 1A, VGS = 4.5V, RGS = 6Ω 
 
  280  
  47
  pF
  38
 
  6.2  
  0.9   nC
  2.1  
  12
 
  15
  30
  nS
 
  13
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
    10 
A 
    40 
    1.2  V 
2012/12/5 
p.2 









No Preview Available !

EMF30N02H Даташит, Описание, Даташиты
 
 
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMF30N02H for EDFN 5 x 6 
 
 
    F30
  N02
  ABCDEFG
F30N02: Device Name 
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMF30N02H
2012/12/5 
p.3 










Скачать PDF:

[ EMF30N02H.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMF30N02AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMF30N02HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMF30N02JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMF30N02JSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск