DataSheet26.com

EMB03N03H PDF даташит

Спецификация EMB03N03H изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB03N03H
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB03N03H Даташит, Описание, Даташиты
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
3.0mΩ 
ID  75A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB03N03H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
75 
45 
160 
53 
140 
40 
50 
20 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
2.5 
°C / W 
50 
2011/12/16 
p.1 









No Preview Available !

EMB03N03H Даташит, Описание, Даташиты
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB03N03H
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 24V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 30A 
VGS = 4.5V, ID = 24A 
VDS = 5V, ID = 24A 
DYNAMIC 
30   
  V 
1  1.5 3 
    ±100 nA
    1  A
    25 
75   
  A 
  2.6 3.0 
mΩ
  4.0 5.0 
  25   S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Ciss     
Coss 
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz 
 
Reverse Transfer Capacitance   
Crss 
 
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Rg 
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=4.5V)
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 30A 
 
VDS = 15V,   
ID = 24A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS     
ISM     
VSD 
IF = IS, VGS = 0V 
 
Reverse Recovery Time   
trr 
  
Peak Reverse Recovery Current 
IRM(REC) 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
 
 
3850
635
522
1.2
64
28
10
13
18
12
60
10
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  75 
  150
  1.3 
32  
200  
12  
pF
Ω 
nC
nS
A 
V 
nS
A 
nC
2011/12/16 
p.2 









No Preview Available !

EMB03N03H Даташит, Описание, Даташиты
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB03N03H for EDFN 5 x 6 
 
 
 
 
B03
B03N03: Device Name 
 
N03
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2011/12/16 
EMB03N03H
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB03N03H.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB03N03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03HRField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск