DataSheet26.com

EMB12N03HR PDF даташит

Спецификация EMB12N03HR изготовлена ​​​​«Excelliance MOS» и имеет функцию, называемую «Field Effect Transistor».

Детали детали

Номер произв EMB12N03HR
Описание Field Effect Transistor
Производители Excelliance MOS
логотип Excelliance MOS логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

EMB12N03HR Даташит, Описание, Даташиты
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
11.5mΩ 
ID  25A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB12N03HR
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
25 
20 
100 
Avalanche Current 
IAS  30 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=30A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
45 
22.5 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
35 
14 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=15A, Rated VDS=25V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
3.5 
°C / W 
62 
2013/8/28 
p.1 









No Preview Available !

EMB12N03HR Даташит, Описание, Даташиты
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB12N03HR
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 24V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 5V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 15A 
VGS = 4.5V, ID = 10A 
VDS = 5V, ID = 15A 
DYNAMIC 
30   
  V 
1  1.7 3 
    ±100 nA
    1  A
    25 
25   
  A 
  9.7 11.5
mΩ
  13 16 
  15   S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=4.5V)
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 15A 
 
VDS = 15V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
Reverse Recovery Time   
Peak Reverse Recovery Current 
Reverse Recovery Charge 
IS 
ISM 
VSD 
trr 
IRM(REC) 
Qrr 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
 
 
 
 
 
 
1050
141
87
1.2
17.6
9.0
2.6
4.0
8 
8 
15
10
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  25 
  100
  1.3 
18  
100  
10  
pF
Ω 
nC
nS
A 
V 
nS
A 
nC
2013/8/28 
p.2 









No Preview Available !

EMB12N03HR Даташит, Описание, Даташиты
 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB12N03HR for EDFN 5 x 6 
 
  
 
 
B12
N03R
ABCDEFG
B12N03R: Device Name 
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2013/8/28 
 
EMB12N03HR
p.3 










Скачать PDF:

[ EMB12N03HR.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMB12N03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12N03HRField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск