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PDF EMB06N03GH Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB06N03GH
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB06N03GH Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
6mΩ 
ID  18A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB06N03GH
LIMITS 
±20 
18 
12 
72 
20 
20 
10 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/8/12 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
/p.1 

1 page




EMB06N03GH pdf
  EMB06N03GH
 
 
 
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  1 2 ID = 1 8 A
10 4
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
  10
 8
 6
V DS =5V
15V
10V
 
4
 
2
 
 0
0
15 30
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
45
 
   1 0 0
M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
R  D  S (O  N ) Lim it
100μ s
  10
 
1m s
10m s
100m s
 1
1s
  10s
DC
0 .1
  VG S   =  1 0 V
Sin g le  P u lse
  R   JA     =  1 2 5 ° C / W
T A      =   2 5 ° C
0 .0 1
  0.1 1
10 100
V D   S   ‐  D r a i n S o u r c e  V o l t a g e (  V  )
 
10 3
10 2
C is s
C oss
C rss
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D ra in S o u rc e  V o lta g e ( V  )
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
 1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
Notes:
P DM
t1
t2
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.R θ J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/8/12 
/p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB06N03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N03GHField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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