DataSheet26.com

EMD10 PDF даташит

Спецификация EMD10 изготовлена ​​​​«JCET» и имеет функцию, называемую «Dual Digital Transistors».

Детали детали

Номер произв EMD10
Описание Dual Digital Transistors
Производители JCET
логотип JCET логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

EMD10 Даташит, Описание, Даташиты
JC(T
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
Digital Transistors (Built-in Resistors)
EMD10 Dual Digital Transistors (NPN+PNP)
FEATURES
z Both the DTC123J chip and DTA123J chip in a package.
z Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines.
z Transistor elements are independent, eliminating interference.
z Mounting cost and area be cut in half.
SOT-563
Marking: D10
TR1 Absolute maximum ratings (Ta=25)
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCC
VIN
IO
IC(MAX)
Pd
Tj
Tstg
Limits
50
-5~12
100
100
150
150
-55~150
Unit
V
V
mA
mW
TR1 Electrical characteristics (Ta=25)
Parameter
Symbol Min.
Typ
Max.
Unit
Conditions
Input voltage
VI(off)
VI(on)
0.5
V
1.1
VCC=5V, IO=100μA
VO=0.3V, IO=5mA
Output voltage
VO(on)
0.1 0.3 V
IO/II=5mA/0.25mA
Input current
II
3.6 mA
VI=5V
Output current
IO(off)
0.5 μA
VCC=50V, VI=0
DC current gain
GI 80
VO=5V, IO=10mA
Input resistance
R1 1.54 2.2 2.86 K
-
Resistance ratio
R2/R1
17
21
26
-
Transition frequency
fT
250 MHz VCE=10V, IE=5mA, f=100MHz
www.cj-elec.com
1
DA,JMuany,2,2001145









No Preview Available !

EMD10 Даташит, Описание, Даташиты
TR2 Absolute maximum ratings (Ta=25)
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCC
VIN
IO
IC(MAX)
Pd
Tj
Tstg
Limits
-50
-12~5
-100
-100
150
150
-55~150
Unit
V
V
mA
mW
TR2 Electrical characteristics (Ta=25)
Parameter
Symbol Min.
Typ
Max.
Unit
Conditions
Input voltage
VI(off)
VI(on)
-0.5
V
-1.1
VCC=-5V, IO=-100μA
VO=-0.3V, IO=-5mA
Output voltage
VO(on)
-0.1 -0.3 V
IO/II=-5mA/-0.25mA
Input current
II
-3.6 mA
VI=-5V
Output current
IO(off)
-0.5 μA
VCC=-50V, VI=0
DC current gain
GI 80
VO=-5V, IO=-10mA
Input resistance
R1 1.54 2.2 2.86 K
-
Resistance ratio
R2/R1
17
21
26
-
Transition frequency
fT
250 MHz VCE=-10V, IE=-5mA, f=100MHz
www.cj-elec.com
2
D,May,2015









No Preview Available !

EMD10 Даташит, Описание, Даташиты
SOT-563 Package Outline Dimensions
SOT-563 Suggested Pad Layout
www.cj-elec.com
2
D,May,2015










Скачать PDF:

[ EMD10.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EMD10Dual Digital TransistorsJCET
JCET
EMD10N06AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD10N06EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD10N70FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск