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Datasheet EMB9 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Category
1EMB9Dual Digital Transistors

JC(T JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital Transistors (Built-in Resistors) EMB9 Dual Digital Transistors (PNP+PNP) FEATURES z Two DTA114Y chips in a package z Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines z Transistor elements are independent,eliminating interfer
JCET
JCET		transistor
2EMB9General purpose dual digital transistors

EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A !Features 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4)
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor		transistor
3EMB90A08GField Effect Transistor

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  80V  RDSON (MAX.)  85mΩ  ID  4.5A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Othe
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
4EMB90N08AField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  80V  D RDSON (MAX.)  85mΩ  ID  10A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Othe
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
5EMB90N08GField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  80V  D RDSON (MAX.)  85mΩ  ID  5A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Othe
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor


EMB Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Catagory
1EMB02K03HPField Effect Transistor

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  S2 S2 S2 G2   N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  RDSON (MAX.)  5.5mΩ  30V  2.6mΩ  D2 / S1 ID  50A  83A  D1 UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
2EMB02N03HRField Effect Transistor

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  1.7mΩ  ID  100A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Oth
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
3EMB02N03HSField Effect Transistor

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  2.5mΩ  ID  100A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Oth
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
4EMB02N60ABField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  4.0Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwi
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
5EMB02N60CSBField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  4.0Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwi
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
6EMB02Q03HPField Effect Transistor

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  30V  RDSON (MAX.)  5.0mΩ  2.0mΩ  ID  53A  95A  UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free      ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor
7EMB03K03HPField Effect Transistor

(Preliminary)  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  S2 S2 S2 G2   N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  RDSON (MAX.)  7mΩ  30V  3.5mΩ  D2 / S1 ID  15A  25A  D1 UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Ha
Excelliance MOS
Excelliance MOS		transistor



Esta página es del resultado de búsqueda del EMB9. Si pulsa el resultado de búsqueda de EMB9 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin.


nuevas actualizaciones

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

 Sanken
Sanken		 PDF


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