2SA1015 PDF даташит
Спецификация 2SA1015 изготовлена «LZG» и имеет функцию, называемую «SILICON PNP TRANSISTOR». |
|
Детали детали
Номер произв | 2SA1015 |
Описание | SILICON PNP TRANSISTOR |
Производители | LZG |
логотип |
2 Pages
No Preview Available ! |
2SA1015(3CG1015)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于普通音频放大,激励级放大/Purpose: Audio frequency general purpose, driver
stage amplifier applications.
特点:耐压高,电流容量大,极好的 hFE 特性,低噪声,可与 2SC1815(3DG1815)互补。
Features: High voltage and high current, excellent hFE linearity, low noise,
complementary pair with 2SC1815(3DG1815).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -50 V
VCEO -50 V
VEBO
-5.0
V
IC
-150
mA
IB -50 mA
PC 400 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
NF
rbb′
测试条件
Test condition
VCB=-50V
IE=0
VEB=-5.0V
IC=0
VCE=-6.0V
IC=-2.0mA
VCE=-6.0V
IC=-150mA
IC=-100mA
IB=-10mA
IC=-100mA
IB=-10mA
VCE=-10V
IC=-1.0mA
VCB=-10V IE=0
f=1.0MHz
VCE=-6.0V
IC=-0.1mA
Rg=10KΩ
f=1.0KHz
VCE=-10V IE=1.0mA f=30MHz
最小值
Min
70
25
80
数值
Rating
典型值
Typ
-0.1
4.0
1.0
30
最大值
Max
-0.1
-0.1
400
-0.3
-1.1
7.0
10
h 分档/FE(1)
hFE(1)
classifications:
O:70~140
Y:120~240
GR:200~400
单位
Unit
μA
μA
V
V
MHz
pF
dB
Ω
http://www.lzg.so
No Preview Available ! |
2SA1015(3CG1015)
http://www.lzg.so
Скачать PDF:
[ 2SA1015.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
2SA101 | (2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift | ETC |
2SA1010 | SILICON POWER TRANSISTOR | NEC |
2SA1010 | Silicon POwer Transistors | SavantIC |
2SA1010 | Trans GP BJT PNP 100V 7A 3-Pin(3+Tab) MP-25 | New Jersey Semiconductor |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |