IPB070N08N3G PDF даташит
Спецификация IPB070N08N3G изготовлена «Infineon» и имеет функцию, называемую «Power-Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | IPB070N08N3G |
Описание | Power-Transistor |
Производители | Infineon |
логотип |
11 Pages
No Preview Available ! |
"%&$!"#™3 Power-Transistor
Features
Q#451<6? B8978 6B5AE5>3 I CG9D3 89>7 1>4 CI>3
B53
Q( @D9=9J54 D53 8>? <? 7I 6? B 3 ? >F5BD5BC
Q H3 5<<5>D71D5 3 81B75 HR 9H"[Z# @B? 4E3 D ( &
Q' 3 81>>5< >? B=1<<5F5<
Q
1F1<1>3 85 D5CD54
Q) 2 6B55 @<1D9>7 + ? " , 3 ? =@<91>D
Q* E1<96954 13 3 ? B49>7 D? $ )# 6? BD1B75D1@@<93 1D9? >C
Q" 1<? 75> 6B55 13 3 ? B49>7 D? #
IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G
IPB067N08N3 G
Product Summary
V 9H
R , ? >=1H, &
I9
0( J
.&/ Y"
0( 6
Type
#) ) ' ' ! #) # ' ' !
#) ' ' !
Package
Marking
E=%ID**(%+
(/(C(0C
E=%ID*.*%+
(/(C(0C
E=%ID*.+%+
(./C(0C
Maximum ratings, 1DT V T E><5CC? D85BG9C5 C@53 96954
Parameter
Symbol Conditions
? >D9>E? EC4B19> 3 EBB5>D
I 9 T 8 T *#
T 8
T
) E<C54 4B19> 3 EBB5>D*#
I 9$\aX_Q T 8 T
F1<1>3 85 5>5B7I C9>7<5 @E<C5+# E 6H I 9 R =H "
!1D5 C? EB3 5 F? <D175
V =H
) ? G5B49CC9@1D9? >
P `[` T 8 T
( @5B1D9>7 1>4 CD? B175 D5=@5B1DEB5 T V T _`S
# 3 <9=1D93 3 1D57? BI #' #
)#$ , - 1>4 $ ,
*# , 55 697EB5 6? B=? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >
+# , 55 697EB5
6? B=? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >
+ 5F
@175
Value
0(
/*
+*(
)-(
q*(
)+.
Unit
6
Y@
J
K
T
No Preview Available ! |
IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G
IPB067N08N3 G
Parameter
Symbol Conditions
min.
Values
typ.
Unit
max.
Thermal characteristics
-85B=1<B5C9CD1>3 5 :E>3 D9? > 3 1C5
-85B=1<B5C9CD1>3 5
:E>3 D9? > 1=2 95>D
R `T@8
R `T@6
=9>9=1<6? ? D@B9>D
3 =* 3 ? ? <9>7 1B51,#
%
%
% )&) A'K
% ,(
Electrical characteristics, 1DT V T E><5CC? D85BG9C5 C@53 96954
Static characteristics
B19> C? EB3 5 2 B51;4? G> F? <D175
!1D5 D8B5C8? <4 F? <D175
05B? 71D5 F? <D175 4B19> 3 EBB5>D
!1D5 C? EB3 5 <51;175 3 EBB5>D
B19> C? EB3 5 ? > CD1D5 B5C9CD1>3 5
B19> C? EB3 5 ? > CD1D5 B5C9CD1>3 5
!1D5 B5C9CD1>3 5
I^MZ_O[ZPaO`MZOQ
V "7G#9HH V =H . I 9
=
V =H"`T# V 9H4V =H I 9 V
I 9HH
V 9H . V =H .
T V T
V 9H . V =H .
T V
T
I =HH
V =H . V 9H .
R 9H"[Z# V =H
. I 9
V =H . I 9
R 9H"[Z#
V =H
. I 9
"HB9#
V =H . I 9
"HB9#
R=
g R_
gV 9Hg5*gI 9gR 9H"[Z#YMd
I 9
0(
*
%
%
%
%
%
%
%
%
,.
% %J
*&0 +&-
(&) ) r6
)( )((
) )(( Z6
-&0 / Y"
/&, )*&+
-&- .&/
/&) )*&(
)&1 % "
1) % H
,# 5F93 5 ? > == H == H
== 5@? HI ) + G9D8 3 =* ? >5 <1I5B V = D893 ; 3 ? @@5B1B51 6? B4B19>
3 ? >>53 D9? >
) 9CF5BD93 1<9> CD9<<19B
+ 5F
@175
No Preview Available ! |
Parameter
Symbol Conditions
IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G
IPB067N08N3 G
min.
Values
typ.
Unit
max.
Dynamic characteristics
#>@ED3 1@13 9D1>3 5
( ED@ED3 1@13 9D1>3 5
+ 5F5BC5 DB1>C65B3 1@13 9D1>3 5
-EB> ? > 45<1I D9=5
+ 9C5 D9=5
-EB> ? 6645<1I D9=5
1<<D9=5
C U__
C [__
C ^__
t P"[Z#
t^
t P"[RR#
tR
V =H . V 9H .
f
& " J
V 99 . V =H
.
I 9 R =
"
%
%
%
%
%
%
%
*01(
/0(
+(
).
..
+)
0
+0,( \<
)(,(
%
% Z_
%
%
%
!1D5 81BS5 81B13 D5B9CD93 C-#
!1D5 D? C? EB3 5 3 81B75
!1D5 D? 4B19> 3 81B75
, G9D3 89>7 3 81B75
!1D5 3 81B75 D? D1<
!1D5 @<1D51E F? <D175
( ED@ED3 81B75
Q S_ % )- % Z8
Q SP % 1 %
Q _c
V 99 . I 9
V =H D?
.
%
).
%
Q S % ,* -.
V \XM`QMa
% -&+ % J
Q [__
V 99 . V =H .
%
-. /- Z8
Reverse Diode
9? 45 3 ? >D9>? EC6? BG1B4 3 EBB5>D
9? 45 @E<C5 3 EBB5>D
9? 45 6? BG1B4 F? <D175
+ 5F5BC5 B53 ? F5BI D9=5
+ 5F5BC5 B53 ? F5BI 3 81B75
IH
I H$\aX_Q
T 8 T
V H9
V =H . I <
T V T
t ^^ V G . I <4I H
Q ^^ Pi <'Pt
V C
% % 0( 6
% % +*(
% )&( )&* J
% .. % Z_
% )+- % Z8
-# , 55 697EB5
6? B71D5 3 81B75 @1B1=5D5B4569>9D9? >
+ 5F
@175
Скачать PDF:
[ IPB070N08N3G.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
IPB070N08N3G | Power-Transistor | Infineon |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |