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Número de pieza | IPD5N25S3-430 | |
Descripción | Power-Transistor | |
Fabricantes | Infineon | |
Logotipo | ||
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No Preview Available ! OptiMOS™-T Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• AEC qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green Product (RoHS compliant)
• 100% Avalanche tested
IPD5N25S3-430
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
250 V
430 mW
5A
PG-TO252-3-313
Type
IPD5N25S3-430
Package
PG-TO252-3-
Marking
3N25430
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current1)
Avalanche energy, single pulse1)
Avalanche current, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
Power dissipation
ID
I D,pulse
E AS
I AS
dv /dt
V GS
P tot
T C=25°C, V GS=10V
T C=100°C, V GS=10V1)
T C=25°C
I D=1.3A
-
-
T C=25°C
Operating and storage temperature T j, T stg -
IEC climatic category; DIN IEC 68-1 -
-
Value
5
4
20
13
1.3
6
±20
41
-55 ... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
A
kV/µs
V
W
°C
Rev. 1.0
page 1
2012-10-18
1 page IPD5N25S3-430
5 Typ. output characteristics
I D = f(V DS); T j = 25 °C
parameter: V GS
20
10 V 6.5 V
6V
18
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = f(I D); T j = 25 °C
parameter: V GS
440
16 420
14
5.5 V
400
5V
12
380
5.5 V
10
6V
6.5 V
8 5 V 360
6 10 V
340
4
320
2
0 300
0 5 10 15 20 25 30
012345
V DS [V]
I D [A]
7 Typ. transfer characteristics
I D = f(V GS); V DS = 6V
parameter: T j
20
8 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = f(T j); I D = 5 A; V GS = 10 V
1200
18
1000
16
14
800
12
10
8
6
175 °C
4
2
25 °C
-55 °C
0
3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
V GS [V]
600
400
200
0
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.0
page 5
2012-10-18
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet IPD5N25S3-430.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
IPD5N25S3-430 | Power-Transistor | Infineon |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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