DataSheet26.com

NTE17 PDF даташит

Спецификация NTE17 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon Complementary Transistors».

Детали детали

Номер произв NTE17
Описание Silicon Complementary Transistors
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE17 Даташит, Описание, Даташиты
NTE16 (NPN) & NTE17 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Low Noise, General Purpose Amplifier
Features:
D Low Collector Saturation Voltage
D Low Output Capacitance
D Low Noise
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C
Electrical Charactristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
V(BR)CEO IC = 1mA
V(BR)CBO IC = 50µA
V(BR)EBO IE = 50µA
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 30V
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
NTE16
IEBO
hFE
VCE(sat)
VEB = 4V
VCE = 6V, IC = 1mA
IC = 50mA, IB = 5mA
NTE17
Transition Frequency
NTE16
fT
VCE = 12V, IE = 2mA
NTE17
Output Capacitance
NTE16
Cob
VCB = 12V, IE = 0, f = 1MHz
NTE17
Min Typ Max Unit
40 – – V
50 – – V
5––V
– – 0.5 µA
– – 0.5 µA
270 – 560
– – 0.4 V
– 0.1 0.5 V
– 180 – MHz
– 140 – MHz
– 2.0 3.5 pF
– 4.0 5.0 pF









No Preview Available !

NTE17 Даташит, Описание, Даташиты
.102 (2.6)
.280 (7.11)
E C B .185 (4.7)
.100 (2.54)
.051 (1.29)
.138 (3.5)
.022 (0.55)










Скачать PDF:

[ NTE17.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE10Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band AmplifierNTE
NTE
NTE100Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed SwitchNTE
NTE
NTE1002Integrated Circuit FM IF TV AmpNTE
NTE
NTE1003Integrated Circuit FM/AM IF AmplifierNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск