TIC246M PDF даташит
Спецификация TIC246M изготовлена «Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Triacs». |
|
Детали детали
Номер произв | TIC246M |
Описание | Triacs |
Производители | Inchange Semiconductor |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc Triacs
isc Product Specification
TIC246M
FEATURES
·With TO-220 package
·Sensitive Gate Triacs
·Glass Passivated
·Max IGT of 50 mA (Quadrants 1~3)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
MIN UNIT
VDRM
VRRM
IT(RMS)
ITSM
Tj
Tstg
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Repetitive peak off-state voltage
600 V
Repetitive peak reverse voltage
600 V
RMS on-state current (full sine wave)TC=70℃
Non-repetitive peak on-state current
16
125
A
A
Operating junction temperature
110 ℃
Storage temperature
-45~125 ℃
Thermal resistance, junction to case
1.9 ℃/W
Thermal resistance, junction to ambient
62.5 ℃/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise specified)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP. MAX UNIT
IDRM Repetitive peak off-state current VD=VDRM, TC=110℃
Ⅰ
2.0 mA
12 50
IGT Gate trigger current
Ⅱ
Vsupply = 12 V†; RL= 10Ω; tp(g) >20μs
Ⅲ
19 50
mA
16 50
Ⅳ 34
IH Holding current
Vsupply = 12 V†,IG= 0 initial ITM=100mA
VGT Gate trigger voltageall quadrant Vsupply = 12 V†; RL= 10Ω; tp(g) >20μs
VTM On-state voltage
IT= 22.5A; IG= 50mA
40 mA
2V
1.7 V
isc website:www.iscsemi.cn
Скачать PDF:
[ TIC246M.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TIC246 | SILICON TRIACS | Power Innovations Limited |
TIC246B | (TIC246x) SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR | Comset Semiconductors |
TIC246C | (TIC246x) SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR | Comset Semiconductors |
TIC246D | Triacs | Inchange Semiconductor |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |