DataSheet26.com

BUZ215 PDF даташит

Спецификация BUZ215 изготовлена ​​​​«Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «N-Channel MOSFET Transistor».

Детали детали

Номер произв BUZ215
Описание N-Channel MOSFET Transistor
Производители Inchange Semiconductor
логотип Inchange Semiconductor логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

BUZ215 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
BUZ215
DESCRIPTION
·High speed switching
·Low RDS(ON)
·Easy driver for cost effective application
APPLICATIONS
·Automotive power actuator drivers
·Motor controls
·DC-DC converters
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
500 V
Gate-Source Voltage
±20
V
Drain Current-continuous@ TC=375 A
Total Dissipation@TC=25
75 W
Max. Operating Junction Temperature -55~150
Storage Temperature Range
-55~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
1.67 /W
Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient
75 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn









No Preview Available !

BUZ215 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
BUZ215
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA
VGS(TH) Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= 1mA
RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 10V; ID= 3.2A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS=20V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 500V; VGS= 0
VSD Diode Forward Voltage
IF= 10A; VGS= 0
MIN MAX UNIT
500 V
2.1 4
1.5
V
Ω
100 nA
250 uA
1.6 V
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn










Скачать PDF:

[ BUZ215.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
BUZ21SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ2119A/ 100V/ 0.100 Ohm/ N-Channel Power MOSFETIntersil Corporation
Intersil Corporation
BUZ21SIPMOS Power TransistorInfineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
BUZ210(BUZ210 / BUZ211) Power TransistorsSiemens
Siemens

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск