BUZ215 PDF даташит
Спецификация BUZ215 изготовлена «Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «N-Channel MOSFET Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | BUZ215 |
Описание | N-Channel MOSFET Transistor |
Производители | Inchange Semiconductor |
логотип |
2 Pages
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
BUZ215
DESCRIPTION
·High speed switching
·Low RDS(ON)
·Easy driver for cost effective application
APPLICATIONS
·Automotive power actuator drivers
·Motor controls
·DC-DC converters
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
500 V
Gate-Source Voltage
±20
V
Drain Current-continuous@ TC=37℃ 5 A
Total Dissipation@TC=25℃
75 W
Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃
Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
1.67 ℃/W
Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient
75 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
BUZ215
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA
VGS(TH) Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= 1mA
RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 10V; ID= 3.2A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS=20V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 500V; VGS= 0
VSD Diode Forward Voltage
IF= 10A; VGS= 0
MIN MAX UNIT
500 V
2.1 4
1.5
V
Ω
100 nA
250 uA
1.6 V
isc website:www.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
Скачать PDF:
[ BUZ215.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
BUZ21 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ21 | 19A/ 100V/ 0.100 Ohm/ N-Channel Power MOSFET | Intersil Corporation |
BUZ21 | SIPMOS Power Transistor | Infineon Technologies AG |
BUZ210 | (BUZ210 / BUZ211) Power Transistors | Siemens |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |