DataSheet26.com

2SK2150 PDF даташит

Спецификация 2SK2150 изготовлена ​​​​«Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «N-Channel MOSFET Transistor».

Детали детали

Номер произв 2SK2150
Описание N-Channel MOSFET Transistor
Производители Inchange Semiconductor
логотип Inchange Semiconductor логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

2SK2150 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2150
DESCRIPTION
·Drain Current ID= 15A@ TC=25
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 500V(Min)
·Fast Switching Speed
APPLICATIONS
·Switching regulators
·General purpose power amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0)
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current-continuous@ TC=25
500
±30
15
V
V
A
ID(puls)
Pulsed Drain Current
60 A
Ptot Total Dissipation@TC=25
150 W
Tj Max. Operating Junction Temperature 150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
·THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Case
0.833 /W
Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn









No Preview Available !

2SK2150 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
isc Product Specification
2SK2150
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 10mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VDS Diode Forward Voltage
VDS=10V; ID=1mA
IDR=15A ;VGS= 0
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
VGS= 10V; ID= 7A
VGS= ±25V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 500V; VGS= 0
Ciss Input Capacitance
Crss Reverse Transfer Capacitance
Coss Output Capacitance
VDS=25V;
VGS=0V;
fT=1MHz
tr Rise Time
ton Turn-on Time
tf Fall Time
toff Turn-off Time
VGS=10V;
ID=7A;
VDD=210V;
RL=30Ω
MIN TYPE MAX UNIT
500 V
2.0 4.0 V
1.7 V
0.29 0.4
Ω
±10 nA
100 µA
2350
200 pF
730
20
55
ns
40
235
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn










Скачать PDF:

[ 2SK2150.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SK215Silicon N-Channel MOS FETHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SK215(2SK213 - 2SK216) Silicon N Channel MOS FETRenesas Technology
Renesas Technology
2SK2150N-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SK2150SILICON N CHANNEL MOS TYPEToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск