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3CT4S PDF даташит

Спецификация 3CT4S изготовлена ​​​​«JILIN SINO» и имеет функцию, называемую «TRIACS».

Детали детали

Номер произв 3CT4S
Описание TRIACS
Производители JILIN SINO
логотип JILIN SINO логотип 

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3CT4S Даташит, Описание, Даташиты
双向晶闸管
R TRIACS
3CT4S
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
IT(RMS)
VDRM
IGT
4A
600V or 800V
10mA
用途
z 交流开关
z 相位控制
APPLICATIONS
z AC switching
z Phase control
封装 Package
序号
Pin
1
2
3
引线名称
Description
主电极 1 MT1
主电极 2 MT2
门极
G
TO-220
TO-220HF
产品特性
FEATURES
z 玻璃钝化芯片,
高可靠性和一
致性
z 低通态电流和高
浪涌电流能力
z 环保 RoHS 产品
z Glass-passivated mesa
chip for reliability and
uniform
z Low on-state voltage and
High ITSM
z RoHS products
TO-126
订货信息 ORDER MESSAGES
订货型号
印记
Order code
Marking
3CT4S-O-Z-N-C
3CT4S
3CT4S-O-HF-N-B
3CT4S
3CT4S-O-M-N-C
3CT4S
封装
Package
TO-220
TO-220HF
TO-126
包装
Packaging
袋装 Bag
条管 Tube
袋装 Bag
版本:201510H
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3CT4S Даташит, Описание, Даташиты
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25)
项目
Parameter
符号
Symbol
试验条件
Condition
重复峰值断态电压
Repetitive peak off-state voltage
VDRM
通态方均根电流 On-state RMS current
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Non-
repetitive surge peak on-state current
IT(RMS)
ITSM
I2t
full sine wave
full sine wave ,t=20ms
full sine wave ,t=16.7ms
t=10ms
通态电流临界上升率 Repetitive rate of
rise of on-state current after triggering
峰值门极电流 Peak gate current
峰值门极电压 Peak gate voltage
峰值门极功率 Peak gate power
平均门极功率 Average gate power
存储温度
Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature
dI/dt
IGM
VGM
PGM
PG(AV)
Tstg
TVJ
ITM=6A, IG=0.2A,
dIG/dt=0.2A/μs
over any 20ms period
3CT4S
数 值 单位
Value Unit
±600
±800
V
4A
25 A
27 A
3.1 A2s
50 A/μs
2A
5V
5W
0.5 W
-40~150
125
版本:201510H
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3CT4S Даташит, Описание, Даташиты
R 3CT4S
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25)
项目
符号
测试条件
最小
Parameter
Symbol
Condition
Min
峰值重复断态电流
VDM=VDRM, Tj=25, gate open
Peak Repetitive Blocking IDRM
Current
VDM=VDRM, Tj=125, gate open
-
-
峰值通态电压
Peak on-state voltage VTM ITM=5A
-
典型
Typ
-
-
1.4
最大
Max
10
0.5
1.7
单位
Unit
μA
mA
V
MT1(-),MT2(+),G(+) -
- 10 mA
门极触发电流
Gate trigger current
IGT
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)
MT1(+),MT2(-),G(+)
-
-
-
- 10 mA
- 10 mA
- 25 mA
门极触发电压
Gate trigger voltage
维持电流
Holding current
MT1(-),MT2(+),G(+)
VGT
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
RL=100Ω
MT1(+),MT2(-),G(-)
IH VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
-
-
0.7 1.5
0.7 1.5
0.7 1.5
V
V
V
- 15 mA
擎住电流
Latching current
MT1(-),MT2(+),G(+)
IL
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
IGT=0.1A
MT1(+),MT2(-),G(-)
-
-
-
- 25 mA
- 25 mA
- 25 mA
断态临界电压上升率
Rise of off- state voltage
dV/dt VDM=67% VDRM(MAX),
Tj=125, gate open
- 50 - V/μs
门 极 开 通 时 间 Gate
controlled turn-on time
tgt
ITM=6A, VDM=VDRM(MAX),
IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS
- 2 - μs
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance
junction to case
符号
Symbol
条件
Condition
full cycle(TO-220)
Rth(j-c) full cycle(TO-220HF)
full cycle(TO-126)
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
3.0 /W
4.5 /W
4.0 /W
电绝缘特性 ELECTRICAL ISOLATION
项目
Parameter
绝缘电压
Isolation voltage
符号
Symbol
条件
Condition
VISOL 1 minute, leads to mounting tab TO-220HF
数 值 单位
Value Unit
2000 V
版本:201510H
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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
3CT408SCRHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3CT4ASensitive Gate SCRsJILIN SINO
JILIN SINO
3CT4STRIACSJILIN SINO
JILIN SINO

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
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