DataSheet26.com

3CT1S PDF даташит

Спецификация 3CT1S изготовлена ​​​​«JILIN SINO» и имеет функцию, называемую «TRIACS».

Детали детали

Номер произв 3CT1S
Описание TRIACS
Производители JILIN SINO
логотип JILIN SINO логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

3CT1S Даташит, Описание, Даташиты
双向晶闸管
R TRIACS
3CT1S
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package
IT(RMS)
VDRM
IGT
0.8A
600V
5mA
用途
APPLICATIONS
序号
Pin
1
2
3
引线名称
Description
主电极 1 MT1
门极
G
主电极 2 MT2
z 交流开关
z 相位控制
z AC switching
z Phase control
TO-92
产品特性
FEATURES
z 玻璃钝化芯片, z Glass-passivated mesa
高 可 靠 性 和 一 chip for reliability and
致性
uniform
z 低通态电流和高
浪涌电流能力
z 环保 RoHS 产品
z Low on-state voltage and
High ITSM
z RoHS products
订货信息 ORDER MESSAGES
订货型号
印记
封装
包装
Order code
3CT1S-O-T-N-C
Marking
3CT1S
Package
TO-92
Packaging
袋装 Bag
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25)
项目
Parameter
重复峰值断态电压
Repetitive peak off-state voltage
符号
Symbol
VDRM
试验条件
Condition
数 值 单位
Value Unit
±600 V
通态方均根电流 On-state RMS current
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Non-
repetitive surge peak on-state current
IT(RMS)
ITSM
full sine wave
full sine wave ,t=20ms
full sine wave ,t=16.7ms
0.8 A
8A
9A
I2t t=10ms
通态电流临界上升率 Repetitive rate of
rise of on-state current after triggering dI/dt
0.45 A2s
20 A/μs
峰值门极电流 Peak gate current
平均门极功率 Average gate power
存储温度
Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature
IGM
PG(AV)
Tstg
TVJ
over any 20ms period
1A
0.1 W
-40~150
110
版本:201510G
1/5









No Preview Available !

3CT1S Даташит, Описание, Даташиты
R 3CT1S
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25)
项目
符号
测试条件
Parameter
Symbol
Condition
峰值重复断态电流
Peak Repetitive Blocking IDRM VDM=VDRM, Tj=110,
Current
gate open
峰值通态电压
Peak on-state voltage VTM ITM=2A
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
- - 0.1 mA
- 1.5 1.8 V
门极触发电流
Gate trigger current
MT1(-),MT2(+),G(+)
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
IGT RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)
MT1(+),MT2(-),G(+)
-
-
-
-
- 5 mA
- 5 mA
- 5 mA
- 7 mA
MT1(-),MT2(+),G(+) -
- 1.1 V
门极触发电压
Gate trigger voltage
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
VGT RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)
-
-
- 1.1 V
- 1.1 V
维持电流
Holding current
MT1(+),MT2(-),G(+) -
IH VDM=12V, IGT=0.1A
-
- 1.3 V
- 5 mA
断态临界电压上升率
VDM=67% VDRM(MAX),
Rise of off- state voltage
dV/dt
Tj=110, gate open
10 -
- V/μs
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到引线的热阻
Thermal resistance
junction to lead
符号
Symbol
条件
Condition
Rth(j-l) full cycle
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
- - 75 /W
版本:201510G
2/5









No Preview Available !

3CT1S Даташит, Описание, Даташиты
R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
TC- IT(RMS)
3CT1S
通态方均根电流ITRMSA
IT – VTM
通态电压VTM V
版本:201510G
3/5










Скачать PDF:

[ 3CT1S.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
3CT12SCRWuxi Huajing Microelectronics
Wuxi Huajing Microelectronics
3CT12ARever Blocking Triode ThyristorsJilin Sino
Jilin Sino
3CT12BThyristor ( SCR )JILIN SINO
JILIN SINO
3CT12STRIACSJilin Sino
Jilin Sino

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск