2SK1212 PDF даташит
Спецификация 2SK1212 изготовлена «Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «N-Channel MOSFET Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | 2SK1212 |
Описание | N-Channel MOSFET Transistor |
Производители | Inchange Semiconductor |
логотип |
2 Pages
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1212
DESCRIPTION
·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS=900V(Min)
·Fast Switching Speed
APPLICATIONS
·high voltage, high speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
Gate-Source Voltage
900
±20
V
V
Drain Current-continuous@ TC=25℃ 5 A
Total Dissipation@TC=25℃
80 W
Max. Operating Junction Temperature
150
℃
Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Junction to Ambient
1.56
30
℃/W
℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
2SK1212
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 1mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID=1mA
RDS(on) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID=2.5A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS= ±20V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=900V; VGS= 0
VSD Forward On-Voltage
IS=5A; VGS=0
tr Rise time
ton Turn-on time
tf Fall time
VGS=10V;ID=2.4A;
RL=50Ω
toff Turn-off time
MIN TYP. MAX UNIT
900 V
2.1 3.0 4.0 V
2.0 2.5
Ω
±100 nA
500 uA
1.0 1.5
V
80 120 ns
110 170
ns
120 180
ns
420 630
ns
isc website:www.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
Скачать PDF:
[ 2SK1212.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
2SK121 | Silicon N Channel Junction FET | Sony |
2SK1211 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
2SK1211 | (2SKxxxx) Power MOSFET | Fuji Semiconductors |
2SK1212 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |