3DD101B PDF даташит
Спецификация 3DD101B изготовлена «Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Power Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | 3DD101B |
Описание | Silicon NPN Power Transistor |
Производители | Inchange Semiconductor |
логотип |
2 Pages
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD101B
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V(Min.)
·DC Current Gain-
: hFE= 20(Min.)@IC= 2A
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier,DC-DC converter and regulated
power supply applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
200 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
150 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
4V
IC Collector Current-Continuous
5A
PC Collector Power Dissipation@TC=75℃ 50
W
TJ Junction Temperature
175 ℃
Tstg Storage Temperature
-55~175 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
2.0 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
3DD101B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 5mA; IB= 0
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= 5mA; IE= 0
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 5mA; IC= 0
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.25A
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 50V; IB=0
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 50V; IE=0
hFE DC Current Gain
IC= 2A; VCE= 5V
fT Current Gain-Bandwidth Product
IC= 0.5A; VCE= 12V
MIN MAX UNIT
150 V
200 V
4V
0.8 V
2.0 mA
1.0 mA
20
1 MHz
isc website:www.iscsemi.cn
2
Скачать PDF:
[ 3DD101B.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
3DD101 | NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor | Shaanxi Qunli Electric |
3DD101 | (3DD101 / 3DD102) NPN | ETC |
3DD101A | (3DD101A - 3DD101E) Discrete semiconductor devices power transistor | SJ |
3DD101A | (3DD101 / 3DD102) NPN | ETC |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |