DataSheet26.com

3DD101B PDF даташит

Спецификация 3DD101B изготовлена ​​​​«Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Power Transistor».

Детали детали

Номер произв 3DD101B
Описание Silicon NPN Power Transistor
Производители Inchange Semiconductor
логотип Inchange Semiconductor логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

3DD101B Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD101B
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V(Min.)
·DC Current Gain-
: hFE= 20(Min.)@IC= 2A
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier,DC-DC converter and regulated
power supply applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
200 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
150 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
4V
IC Collector Current-Continuous
5A
PC Collector Power Dissipation@TC=7550
W
TJ Junction Temperature
175
Tstg Storage Temperature
-55~175
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
2.0 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1









No Preview Available !

3DD101B Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
3DD101B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 5mA; IB= 0
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= 5mA; IE= 0
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 5mA; IC= 0
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.25A
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 50V; IB=0
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 50V; IE=0
hFE DC Current Gain
IC= 2A; VCE= 5V
fT Current Gain-Bandwidth Product
IC= 0.5A; VCE= 12V
MIN MAX UNIT
150 V
200 V
4V
0.8 V
2.0 mA
1.0 mA
20
1 MHz
isc websitewww.iscsemi.cn
2










Скачать PDF:

[ 3DD101B.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
3DD101NPN Silicon Low Frequency High Power TransistorShaanxi Qunli Electric
Shaanxi Qunli Electric
3DD101(3DD101 / 3DD102) NPNETC
ETC
3DD101A(3DD101A - 3DD101E) Discrete semiconductor devices power transistorSJ
SJ
3DD101A(3DD101 / 3DD102) NPNETC
ETC

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск