DataSheet26.com

даташит 2SJ650 PDF ( Datasheet )


2SJ650 Datasheet PDF Download - ON Semiconductor

Номер произв 2SJ650
Описание P-Channl Silicon MOSFET
Производители ON Semiconductor
логотип ON Semiconductor логотип 
предварительный просмотр
1Page
		

No Preview Available !

2SJ650 Даташит, Описание, Даташиты
2SJ650
Ordering number : ENN7500
2SJ650
P-Channl Silicon MOSFET
DC / DC Converter Applications
Features
Low ON-resistance.
Ultrahigh-speed switching.
4V drive.
Package Dimensions
unit : mm
2063A
10.0
3.2
[2SJ650]
4.5
2.8
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
1.6
1.2
0.75
123
2.55 2.55
2.55 2.55
2.4
0.7
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-220ML
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
PD
Tch
Tstg
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Conditions
PW10µs, duty cycle1%
Tc=25°C
Ratings
--60
±20
--12
--48
2.0
20
150
--55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Marking : J650
Symbol
Conditions
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
ID=--1mA, VGS=0
VDS=--60V, VGS=0
VGS=±16V, VDS=0
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--6A
min
--60
--1.2
7
Ratings
typ
max
Unit
V
--1 µA
±10 µA
--2.6 V
10 S
Continued on next page.
© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
Rev.0 I Pwagwew1.oofn4seImwiw.cwo.omnsemi.com
Publication Order Number:
2SJ650/D
--------------------------------------------

No Preview Available !

2SJ650 Даташит, Описание, Даташиты
2SJ650
Continued from preceding page.
Parameter
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain“Miller”Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
ID=--6A, VGS=--10V
ID=--6A, VGS=--4V
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--12A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--12A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--12A
IS=--12A, VGS=0
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.1%
G
VDD= --30V
ID= --6A
RL=5
D VOUT
2SJ650
P.G 50S
Ratings
min typ max
Unit
100 135 m
145 205 m
1020
pF
110 pF
76 pF
10 ns
145 ns
85 ns
96 ns
21 nC
3.8 nC
4.5 nC
--0.9 --1.2 V
ID -- VDS
ID -- VGS
--25 --25
Tc=25°C
VDS= --10V
--20 --8V
--6V
--15
--20
--15
--4V
--10 --10
--5 --5
VGS= --3V
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06157
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT06158
Rev.0 I Page 2 of 4 I www.onsemi.com
--------------------------------------------

No Preview Available !

2SJ650 Даташит, Описание, Даташиты
2SJ650
RDS(on) -- VGS
300
ID= --6A
300
250 250
200 200
150
75°C
150
25°C
100 100
Tc= --25°C
50 50
RDS(on) -- Tc
I DI=D-=-6-A-6,AV,GVSG= S--=4V--10V
0
0
--2.5
--2.0
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
VGS(off) -- Tc
IT06159
VDS= --10V
ID= --1mA
--1.5
--1.0
0
--50 --25
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
yfs-- ID
IT06160
VDS= --10V
25°C
Tc=
--25°C
75°C
--0.5
0
--50
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
0
--25 0
25 50 75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IF -- VSD
IT06169
VGS=0
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT06162
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
1.0
7
5
3
--0.1
1000
7
5
23
5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
23
IT06161
VDD= --30V
VGS= --10V
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
--0.1
23
--10
VDS= --30V
--9 ID= --12A
--8
td(off)
tf
tr
td(on)
5 7 --1.0
23
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
5 7 --10
IT06163
--7
--6
Coss
Crss
--5
--4
--3
--2
--5 --10 --15 --20 --25 --30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06164
--1
0
0 5 10 15 20 25
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT06165
Rev.0 I Page 3 of 4 I www.onsemi.com
--------------------------------------------





Всего страниц 4 Pages
Скачать PDF[ 2SJ650.PDF Даташит ]

Ссылка Поделиться



Related Datasheets

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SJ650DC / DC Converter ApplicationsSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SJ650P-Channl Silicon MOSFETON Semiconductor
ON Semiconductor
2SJ651P CHANNEL SILICON TRASISTORSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SJ652General-Purpose Switching Device ApplicationsSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device


Номер в каталоге Описание Производители
157UD2

Dual op amp

ETC 1
ETC 1
6MBP200RA-060

Intelligent Power Module

Fuji Electric
Fuji Electric
ADF41020

18 GHz Microwave PLL Synthesizer

Analog Devices
Analog Devices
AN-SY6280

Low Loss Power Distribution Switch

Silergy
Silergy
AP6354

2x2 WiFi + Bluetooth4.1 Module

AMPAK
AMPAK

Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z


DataSheet26.com    |    2017    |   Контакты    |    Поиск